dram存儲器的上市公司

A. 什麼是DRAM產業

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存取存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。

dram就是存儲晶元的產業。也就是生產台式、手提、平板電腦和手機等上的內存的相關產業。

B. 國內企業是不是為三星dram存儲器代工

DRAM,是動態隨機存取存儲器最為常見的系統內存。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關機就會丟失數據）

C. DRAM存儲器的中文和含義

DRAM存儲器的中文是動態隨機存取存儲器。

含義：為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。

寫操作時，寫選擇線為"1"，所以Q1導通，要寫入的數據通過Q1送到Q2的柵極，並通過柵極電容在一定時間內保持信息。

讀操作時，先通過公用的預充電管Q4使讀數據線上的分布電容CD充電，當讀選擇線為高電平有效時,Q3處於可導通的狀態。若原來存有"1",則Q2導通，讀數據線的分布電容CD通過Q3、Q2放電,此時讀得的信息為"0"，正好和原存信息相反。

若原存信息為"0",則Q3盡管具備導通條件，但因為Q2截止，所以，CD上的電壓保持不變，因而，讀得的信息為"1"。可見，對這樣的存儲電路，讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進行反相再送往 數據匯流排。

(3)dram存儲器的上市公司擴展閱讀：

在半導體科技極為發達的中國台灣，內存和顯存被統稱為記憶體（Memory），全名是動態隨機存取記憶體（Dynamic Random Access Memory，DRAM）。

基本原理就是利用電容內存儲電荷的多寡來代表0和1，這就是一個二進制位元（bit），內存的最小單位。

DRAM的結構可謂是簡單高效，每一個bit只需要一個晶體管另加一個電容。但是電容不可避免的存在漏電現象，如果電荷不足會導致數據出錯，因此電容必須被周期性的刷新（預充電），這也是DRAM的一大特點。

而且電容的充放電需要一個過程，刷新頻率不可能無限提升（頻障），這就導致DRAM的頻率很容易達到上限，即便有先進工藝的支持也收效甚微。隨著科技的進步，以及人們對超頻的一種意願，這些頻障也在慢慢解決。

D. FLASH存儲器DDR存儲器RAM存儲器SRAM存儲器DRAM存儲器有什麼區別各有什麼作用

Flash存儲器：

它屬於內存器件的一種，是一種非易失性( Non-Volatile )內存。快閃記憶體的物理特性與常見的內存有根本性的差異:目前各類 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都屬於揮發性內存，只要停止電流供應內存中的數據便無法保持，因此每次電腦開機都需要把數據重新載入內存;快閃記憶體在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數據，其存儲特性相當於硬碟，這項特性正是快閃記憶體得以成為各類便攜型數字設備的存儲介質的基礎。

DDR存儲器：

DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，即同步動態隨機存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於內存廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。

RAM存儲器：

存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用於存儲短時間使用的程序。 按照存儲單元的工作原理，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器(英文:Static RAM，SRAM)和動態隨機存儲器(英文Dynamic RAM，DRAM)。

SRAM存儲器：

是Static Random Access Memory的縮寫，靜態存儲器，和動態存儲器DRAM相對。由於SRAM工作原理是依靠晶體管組合來鎖住電平，並不需要進行刷新，只要不斷電，數據就不會丟失，因此稱為靜態RAM。

DRAM存儲器：

DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據)

E. FLASH存儲器DDR存儲器RAM存儲器SRAM存儲器DRAM存儲器有啥區別各有什麼作用用在那

Flash存儲器又稱為快閃記憶體，是一種非易失性的ROM存儲器，在EEPROM的基礎上發展而來，但不同於EEPROM只能全盤擦寫，快閃記憶體可以對某個特定的區塊進行擦寫，這源於它和內存一樣擁有獨立地址線。快閃記憶體的讀寫速度快，但遠不及RAM存儲器；但它斷電後不會像內存一樣丟失數據，因此適合做外存儲設備。用途：U盤、固態硬碟、BIOS晶元等。

DDR是一種技術，中文為雙倍速率，並不屬於一種存儲器。DDR通常指DDR SDRAM存儲器，全稱為Double Date Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，雙倍速率同步動態隨機存儲器。顧名思義，它有三個重要特性：Double Date Rate、Synchronous和Dynamic。首先是Dynamic（動態），表明存儲元為電容，通過電容的電荷性判斷數據0和1。而由於電容有漏電流，必須隨時對電容進行充電，以防數據丟失，這個過程就叫動態刷新；其次是Synchronous（同步），表明讀寫過程由時鍾信號控制，只能發生在時鍾信號的上沿或下沿，是同步進行的，而不可以在隨意時刻進行；最後是Double Date Rate（DDR），這是DDR內存最重要的特性，即相比SDRAM內存，DDR內存在時鍾的上沿和下沿均可以完成一次數據發射，因此一個周期內可以傳輸兩次數據，所以稱為雙倍速率。因此等效頻率是SDRAM的兩倍。用途：內存條和顯存顆粒，如DDR、DDR2、DDR3、GDDR5。

RAM是Random Access Memory的縮寫，中文為隨機存儲器。這個定義非常廣，凡是可以進行隨機讀寫的存儲器，都可以稱為RAM，和ROM（只讀存儲器）相對。用途：內存、顯存、單片機、高速緩存等等

SRAM是Static Random Access Memory的縮寫，靜態存儲器，和動態存儲器DRAM相對。由於SRAM工作原理是依靠晶體管組合來鎖住電平，並不需要進行刷新，只要不斷電，數據就不會丟失，因此稱為靜態RAM。相比動態RAM，優點：1.不需要刷新操作，省去刷新電路，布線簡單；2.速度遠高於DRAM。缺點：1.容量遠小於DRAM；2.由於晶體管規模遠大於DRAM，成本遠高於DRAM。用途：寄存器、高速緩存、早期內存

DRAM是Dynamic Random Access Memory的縮寫，動態存儲器。和上面的定義一樣，由電容存儲數據，需要實時刷新，因此叫動態RAM。和SDRAM的區別在於DRAM可以不需要時鍾信號控制發射，但通常我們不嚴格區分它們，把SDRAM和DRAM都叫做DRAM。DDR SDRAM也屬於一種DRAM。用途：內存、顯存

F. 請教：DRAM存儲器供不應求加劇，四季度合約價持續上漲，國內有哪些上市公司受益

神牛事件驅動的最新資訊：在北美數據中心的需求持續強勁，以及DRAM供給端產能與製程受限制下，並不能滿足整體伺服器內存市場需求。進入第四季，Server DRAM第四季合約價將持續上漲6%至10%，可望帶動廠商營收與利潤率表現再創新高。太極實業（600667）是世界第二大DRAM製造商SK海力士的合作夥伴，為SK海力士的DRAM產品提供後工序服務。紫光國芯（002049）是領先的DRAM存儲器供應商，DRAM存儲器晶元已形成較完整的系列，其特種DRAM產品填補了國內空白。

G. DRAM、SRAM、ROM、CMOS RAM這些存儲晶元中，哪個速度最快

SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要佔用一部分面積，在主板上哪些是SRAM呢？ 一種是置於CPU與主存間的高速緩存，它有兩種規格：一種是固定在主板上的高速緩存（Cache Memory ）；另一種是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）擴充用的高速緩存，另外在CMOS晶元1468l8的電路里，它的內部也有較小容量的128位元組SRAM，存儲我們所設置的配置數據。還有為了加速CPU內部數據的傳送，自80486CPU起，在CPU的內部也設計有高速緩存，故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache（一級高速緩存）和L2Cache（二級高速緩存）的名詞，一般L1 Cache是內建在CPU的內部，L2 Cache是設計在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時設計在CPU的內部，故Pentium Pro的體積較大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU內核之外的黑盒子里。SRAM顯然速度快，不需要刷新的*作，但是也有另外的缺點，就是價格高，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存。現將它的特點歸納如下： ◎優點，速度快，不必配合內存刷新電路，可提高整體的工作效率。 ◎缺點，集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用於關鍵性系統以提高效率。 ◎SRAM使用的系統： ○CPU與主存之間的高速緩存。 ○CPU內部的L1／L2或外部的L2高速緩存。 ○CPU外部擴充用的COAST高速緩存。 ○CMOS 146818晶元（RT＆CMOS SRAM）。

H. DRAM內存概念股有哪些

DRAM內存概念股有：紫光國芯（002049）、長電科技（600584）、深科技（000021）、華天科技（002185）。

I. 作晶元的上市公司就這個價，中國晶元還能強嗎

科技真相 科技紅利及方向型資產研究

中國半導體集成電路晶元產業百人高峰論壇，在上海圓滿舉行，會議邀請了國家集成電路產業投資基金(大基金)、安芯基金以及中國半導體集成電路晶元產業龍頭公司的領導、專家們以及科技產業分析師鄭震湘，共同探討中國半導體集成電路晶元產業所面臨的現狀、機遇及挑戰。

我們能夠更加清晰看到中國半導體集成電路晶元產業崛起的必然性以及在當中我們所面臨任務的艱巨性，中國半導體集成電路晶元產業進入了發展的重大轉型期和變革期，在國家、中國半導體集成電路晶元產業人及諸多社會力量的大力支持下，我們必將迎來半導體集成電路晶元產業的突破及發展，不忘初心，砥礪前行，實現國之重器「中國芯」的中國夢！

中芯國際聯合首席執行官趙海軍博士發表主題演講，《中國半導體製造產業的現狀與前景》。

一、中國半導體製造業現狀