光刻膠酚醛樹脂上市公司

『壹』 光刻膠正膠與酒精反應嗎

經過光反應後部分可以溶解，可以通過飛秒檢測鑒定其結構和變化，正性光刻膠也稱為正膠。正性光刻膠樹脂是一種叫做線性酚醛樹脂的酚醛甲醛，提供光刻膠的粘附性、化學抗蝕性，當沒有溶解抑制劑存在時，線性酚醛樹脂會溶解
在顯影液中；感光劑是光敏化合，最常見的是重氮萘醌（DNQ）。在曝光前，DNQ是一種強烈的溶解抑制劑，降低樹脂的溶解速度。在紫外曝光後，DNQ在光刻膠中化學

分解，成為溶解度增強劑，大幅提高顯影液中的溶解度因子至100或者更高。這種曝光反應會在DNQ中產生羧酸，它在顯影液中溶解度很高。正性光刻膠具有很
好的對比度，所以生成的圖形具有良好的解析度。

『貳』 光刻的工序

一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對准曝光、後烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。
矽片清洗烘乾
1、矽片清洗烘乾（Cleaning and Pre-Baking）
方法：濕法清洗+去離子水沖洗+脫水烘焙（熱板150～250C,1～2分鍾，氮氣保護）
目的：a、除去表面的污染物（顆粒、有機物、工藝殘余、可動離子）；b、除去水蒸氣，使基底表面由親水性變為憎水性，增強表面的黏附性（對光刻膠或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。
塗底
2、塗底（Priming）
方法：a、氣相成底膜的熱板塗底。HMDS蒸氣淀積，200～250C,30秒鍾；優點：塗底均勻、避免顆粒污染；b、旋轉塗底。缺點：顆粒污染、塗底不均勻、HMDS用量大。
目的：使表面具有疏水性，增強基底表面與光刻膠的黏附性。
旋轉塗膠
3、旋轉塗膠（Spin-on PR Coating）
方法：a、靜態塗膠（Static）。矽片靜止時，滴膠、加速旋轉、甩膠、揮發溶劑（原光刻膠的溶劑約佔65～85%,旋塗後約佔10～20%）；b、動態（Dynamic）。低速旋轉（500rpm_rotation per minute）、滴膠、加速旋轉（3000rpm）、甩膠、揮發溶劑。
決定光刻膠塗膠厚度的關鍵參數：光刻膠的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻膠的厚度越薄；旋轉速度，速度越快，厚度越薄；
影響光刻膠均勻性的參數：旋轉加速度，加速越快越均勻；與旋轉加速的時間點有關。
一般旋塗光刻膠的厚度與曝光的光源波長有關（因為不同級別的曝光波長對應不同的光刻膠種類和解析度）：I-line最厚，約0.7～3μm；KrF的厚度約0.4～0.9μm；ArF的厚度約0.2～0.5μm。
軟烘
4、軟烘（Soft Baking）
方法：真空熱板，85～120C,30～60秒；
目的：除去溶劑（4～7%）；增強黏附性；釋放光刻膠膜內的應力；防止光刻膠玷污設備；
邊緣光刻膠的去除
5、邊緣光刻膠的去除（EBR，Edge Bead Removal）。
光刻膠塗覆後，在矽片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。邊緣的光刻膠一般塗布不均勻，不能得到很好的圖形，而且容易發生剝離（Peeling）而影響其它部分的圖形。所以需要去除。
方法：a、化學的方法（Chemical EBR）。軟烘後，用PGMEA或EGMEA去邊溶劑，噴出少量在正反面邊緣處，並小心控制不要到達光刻膠有效區域；b、光學方法（Optical EBR）。即矽片邊緣曝光（WEE，Wafer Edge Exposure）。在完成圖形的曝光後，用激光曝光矽片邊緣，然後在顯影或特殊溶劑中溶解；
對准
6、對准（Alignment）
對准方法：a、預對准，通過矽片上的notch或者flat進行激光自動對准；b、通過對准標志（Align Mark），位於切割槽（Scribe Line）上。另外層間對准，即套刻精度（Overlay），保證圖形與矽片上已經存在的圖形之間的對准。
曝光
7、曝光（Exposure）
曝光中最重要的兩個參數是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距調整不好，就不能得到要求的解析度和大小的圖形。表現為圖形的關鍵尺寸超出要求的范圍。
曝光方法：
a、接觸式曝光（Contact Printing）。掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形解析度相當，設備簡單。缺點：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損，壽命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，解析度〉0.5μm。
b、接近式曝光（Proximity Printing）。掩膜板與光刻膠層的略微分開，大約為10～50μm。可以避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷。但是同時引入了衍射效應，降低了解析度。1970後適用，但是其最大解析度僅為2～4μm。
c、投影式曝光（Projection Printing）。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實現曝光。一般掩膜板的尺寸會以需要轉移圖形的4倍製作。優點：提高了解析度；掩膜板的製作更加容易；掩膜板上的缺陷影響減小。
投影式曝光分類：
掃描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年代末～80年代初，〉1μm工藝；掩膜板1：1，全尺寸；
步進重復投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或稱作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（I line）～0.25μm（DUV）。掩膜板縮小比例（4：1），曝光區域（Exposure Field）22×22mm（一次曝光所能覆蓋的區域）。增加了棱鏡系統的製作難度。
掃描步進投影曝光（Scanning-Stepping Project Printing）。90年代末～至今，用於≤0.18μm工藝。採用6英寸的掩膜板按照4：1的比例曝光，曝光區域（Exposure Field）26×33mm。優點：增大了每次曝光的視場；提供矽片表面不平整的補償；提高整個矽片的尺寸均勻性。但是，同時因為需要反向運動，增加了機械繫統的精度要求。
在曝光過程中，需要對不同的參數和可能缺陷進行跟蹤和控制，會用到檢測控制晶元/控片（Monitor Chip）。根據不同的檢測控制對象，可以分為以下幾種：a、顆粒控片（Particle MC）：用於晶元上微小顆粒的監控，使用前其顆粒數應小於10顆；b、卡盤顆粒控片（Chuck Particle MC）：測試光刻機上的卡盤平坦度的專用晶元，其平坦度要求非常高；c、焦距控片（Focus MC）：作為光刻機監控焦距監控；d、關鍵尺寸控片（Critical Dimension MC）：用於光刻區關鍵尺寸穩定性的監控；e、光刻膠厚度控片（PhotoResist Thickness MC）：光刻膠厚度測量；f、光刻缺陷控片（PDM，Photo Defect Monitor）：光刻膠缺陷監控。
舉例：0.18μm的CMOS掃描步進光刻工藝。
光源：KrF氟化氪DUV光源（248nm）；
數值孔徑NA：0.6～0.7；
焦深DOF：0.7μm；
解析度Resolution：0.18～0.25μm（一般採用了偏軸照明OAI_Off-Axis Illumination和相移掩膜板技術PSM_Phase Shift Mask增強）；
套刻精度Overlay：65nm；
產能Throughput：30～60wafers/hour（200mm）；
視場尺寸Field Size：25×32mm；
後烘
8、後烘（PEB，Post Exposure Baking）
方法：熱板，110～130C,1分鍾。
目的：a、減少駐波效應；b、激發化學增強光刻膠的PAG產生的酸與光刻膠上的保護基團發生反應並移除基團使之能溶解於顯影液。
顯影
9、顯影（Development）
方法：a、整盒矽片浸沒式顯影（Batch Development）。缺點：顯影液消耗很大；顯影的均勻性差；b、連續噴霧顯影（Continuous Spray Development）/自動旋轉顯影（Auto-rotation Development）。一個或多個噴嘴噴灑顯影液在矽片表面，同時矽片低速旋轉（100～500rpm）。噴嘴噴霧模式和矽片旋轉速度是實現矽片間溶解率和均勻性的可重復性的關鍵調節參數。c、水坑（旋覆浸沒）式顯影（Puddle Development）。噴覆足夠（不能太多，最小化背面濕度）的顯影液到矽片表面，並形成水坑形狀（顯影液的流動保持較低，以減少邊緣顯影速率的變化）。矽片固定或慢慢旋轉。一般採用多次旋覆顯影液：第一次塗覆、保持10～30秒、去除；第二次塗覆、保持、去除。然後用去離子水沖洗（去除矽片兩面的所有化學品）並旋轉甩干。優點：顯影液用量少；矽片顯影均勻；最小化了溫度梯度。
顯影液：a、正性光刻膠的顯影液。正膠的顯影液位鹼性水溶液。KOH和NaOH因為會帶來可動離子污染（MIC，Movable Ion Contamination），所以在IC製造中一般不用。最普通的正膠顯影液是四甲基氫氧化銨（TMAH）（標准當量濃度為0.26，溫度15～25C）。在I線光刻膠曝光中會生成羧酸，TMAH顯影液中的鹼與酸中和使曝光的光刻膠溶解於顯影液，而未曝光的光刻膠沒有影響；在化學放大光刻膠（CAR，Chemical Amplified Resist）中包含的酚醛樹脂以PHS形式存在。CAR中的PAG產生的酸會去除PHS中的保護基團（t-BOC），從而使PHS快速溶解於TMAH顯影液中。整個顯影過程中，TMAH沒有同PHS發生反應。b、負性光刻膠的顯影液。二甲苯。清洗液為乙酸丁脂或乙醇、三氯乙烯。
顯影中的常見問題：a、顯影不完全（Incomplete Development）。表面還殘留有光刻膠。顯影液不足造成；b、顯影不夠（Under Development）。顯影的側壁不垂直，由顯影時間不足造成；c、過度顯影（Over Development）。靠近表面的光刻膠被顯影液過度溶解，形成台階。顯影時間太長。
硬烘
10、硬烘（Hard Baking）
方法：熱板，100～130C（略高於玻璃化溫度Tg），1～2分鍾。
目的：a、完全蒸發掉光刻膠裡面的溶劑（以免在污染後續的離子注入環境，例如DNQ酚醛樹脂光刻膠中的氮會引起光刻膠局部爆裂）；b、堅膜，以提高光刻膠在離子注入或刻蝕中保護下表面的能力；c、進一步增強光刻膠與矽片表面之間的黏附性；d、進一步減少駐波效應（Standing Wave Effect）。
常見問題：a、烘烤不足（Underbake）。減弱光刻膠的強度（抗刻蝕能力和離子注入中的阻擋能力）；降低針孔填充能力（Gapfill Capability for the needle hole）；降低與基底的黏附能力。b、烘烤過度（Overbake）。引起光刻膠的流動，使圖形精度降低，解析度變差。
另外還可以用深紫外線（DUV，Deep Ultra-Violet）堅膜。使正性光刻膠樹脂發生交聯形成一層薄的表面硬殼，增加光刻膠的熱穩定性。在後面的等離子刻蝕和離子注入（125～200C）工藝中減少因光刻膠高溫流動而引起解析度的降低。

『叄』 酚醛樹脂的生產工藝是什麼

塗膠組合物用的酚醛樹脂,制備方法與含有該酚醛樹脂的組合物（法國-20頁）

酚醛樹脂組合物（日本-24頁）

火箭發動機用的彈性體化酚醛樹脂燒蝕性隔熱物（美國-30頁）

酚醛樹脂塗布的耐火聚集料（美國-9頁）

基於可熔酚醛樹脂的含鋁和硼的粘合劑體系（德國-14頁）

可熔性酚醛樹脂組合物及其固化方法（日本-9頁）

酚醛樹脂、環氧樹脂及其製造方法（日本-18頁）

光學性能改進的可溶可熔型酚醛樹脂（美國-40頁）

制備酚醛樹脂的方法（日本-13頁）

制備可熔酚醛樹脂的方法（德國-9頁）

使用乾性油改性酚醛樹脂組合物的酚醛樹脂層壓板（日本-14頁）

酚醛樹脂發泡體疊合板（日本-25頁）

層合酚醛樹脂泡沫板及其製造方法（美國-21頁）

具有改進光學性能的可溶可熔酚醛樹脂（美國-39頁）

用作不受水影響的環氧樹脂硬化劑的促進劑的酚醛樹脂（德國-8頁）

酚醛樹脂泡沫材料（美國-14頁）

用於酸固化酚醛樹脂組合物的反應性稀釋劑（美國-58頁）

酚醛樹脂硬化物的再生利用方法（日本-21頁）

用經植物油改性的酚醛樹脂制備的層壓板（日本-13頁）

用於熱塑性硫化橡膠的酚醛樹脂固化劑的優選結構（美國-25頁）

具有改善的耐沖擊性的酚醛樹脂組合物（美國-41頁）

線型酚醛樹脂及其製造方法（日本-21頁）

含水酚醛樹脂分散體（美國-14頁）

藉助低溫液面下強制水蒸汽蒸餾法分離可溶可熔酚醛樹脂（美國-13頁）

具有與反射層中鋁化學結合的酚醛樹脂的後向反射製品（美國-17頁）

用陰離子交換樹脂降低線型酚醛樹脂溶液中的金屬離子含量（美國-14頁）

酚醛樹脂模塑料（日本-13頁）

層壓板用乾性油改性酚醛樹脂組合物及使用該乾性油改性酚醛樹脂組合物的酚醛樹脂層壓板 （日本-15頁）

用於酚醛樹脂的發泡劑（英國-13頁）

生產酚醛樹脂制的滑輪的方法（日本-24頁）

改性酚醛樹脂的制備方法及其應用（德國-7頁）

酚醛樹脂組合物（日本-35頁）

改進了的酚醛樹脂（澳大利亞-25頁）

制備酚醛樹脂的方法（荷蘭-9頁）

經植物油改性的酚醛樹脂的制備方法及其在層壓過程中的用途（日本-14頁）

含有穩定化酚醛樹脂的水基膠粘劑組合物（美國-25頁）

酚醛樹脂粘合促進劑以及粘合劑組合物（美國-24頁）

制備用於高解析度光刻膠組合物的高玻璃化溫度線型酚醛樹脂的方法（美國-15頁）

制備平版印刷用的感光支化線型酚醛樹脂的方法（美國-12頁）

第二套：中國最新酚醛樹脂及其製品生產工藝技術專利大全（中文）題錄

酚醛樹脂發泡板材（7頁）

酚醛樹脂的固化促進劑微膠囊丸（5頁）

鐵基酚醛樹脂同步器錐環（6頁）

酚醛樹脂/粘土納米復合材料的生產方法（9頁）

一種酚醛樹脂基球形活性炭的制備方法（6頁）

不含或含低量游離氨的酚醛樹脂成型材料製造方法（15頁）

一種高強度酚醛樹脂及其製作工藝與應用（7頁）

鑄造覆膜砂粘土/酚醛樹脂納米復合物、生產方法及用途（9頁）

一種水溶性酚醛樹脂/納米粘土復合物及其制備方法（8頁）

一種呼吸輔助裝置用酚醛樹脂中空纖維膜的制備方法（7頁）

酚醛樹脂污水處理方法（6頁）

一種Novolak酚醛樹脂及其制備方法（9頁）

一種熱塑性酚醛樹脂/粘土納米復合材料及其制備方法（9頁）

一種納米粘土填充的熱固性酚醛樹脂及其制備方法（11頁）

感光型磷酯化酚醛樹脂、其組合物及其製法（16頁）

酚醛樹脂低溫發泡機（6頁）

松香改性混合烷基酚醛樹脂的制備（11頁）

採用酚醛樹脂作膠粘劑冷壓制備摩擦材料的方法（17頁）

一種改性酚醛樹脂及其生產方法（7頁）

酚醛樹脂復合板的連續製法（10頁）

用於低溫發泡的酚醛樹脂的生產方法和所製成的樹脂（12頁）

油墨樹脂油和松香改性酚醛樹脂廢水的處理方法（4頁）

酚醛樹脂覆膜砂用潰散劑組合物及配製方法（7頁）

一種水溶性磺甲基酚醛樹脂的制備方法（4頁）

改性酚醛樹脂與羧酸金屬鹽接枝共聚物（6頁）

馬來醯亞胺酚醛樹脂椡┯途酆銜鎩⒑銑煞椒�捌漵τ茫?/FONT>8頁）

水溶性酚醛樹脂膠粘劑（4頁）

一種製造熱固性酚醛樹脂的方法（8頁）

紙質酚醛樹脂線路板及其製造方法（8頁）

甲基苯乙烯改性酚醛樹脂及其製造方法（5頁）

一種以釜底油製取改性酚醛樹脂的方法（7頁）

開環聚合酚醛樹脂與纖維增強復合材料（11頁）

用澱粉製取酚醛樹脂及其模塑料（6頁）

一種改性酚醛樹脂高溫耐磨材料（4頁）

木材酚醛樹脂層積材料及其製造方法（16頁）

酚醛樹脂泡沫塑料的制備方法（13頁）

含玻璃鱗片的硼改性酚醛樹脂復合材料及其制備方法（10頁）

酚醛樹脂復合材料的制備方法（5頁）

倍半萜烯酚醛樹脂的製造方法（4頁）

淺色改性松香酚醛樹脂的製造方法（5頁）

用松脂製造松香改性酚醛樹脂的方法（5頁）

桐油改性線型酚醛樹脂的製造及應用（9頁）

摩擦制動片用桐油改性酚醛樹脂的製造方法（9頁）

酚醛樹脂及酚醛樹脂硬質泡沫塑料（7頁）

活性酚醛樹脂為交聯劑的中國黑荊單寧膠（14頁）

一種粘接用酚醛樹脂膠及其生產方法（4頁）

一種聚酯改性酚醛樹脂及其制備方法（4頁）

萜烯酚醛樹脂的製造方法（5頁）

酚醛樹脂合成過程中負壓鹼吸收直接脫酚法（6頁）

改性酚醛樹脂及其生產方法（6頁）

一種酚醛樹脂粘結劑及其製造方法（8頁）

丁苯乳膠改性酚醛樹脂製造工藝（6頁）

一種酚醛樹脂的合成方法（7頁）
酚醛樹脂是最早實現工業化生產的樹脂，它具有價格低廉、原料易得、工藝簡單、性能優異等優點。我國的酚醛樹脂生產能力約15萬噸，到2000年將增加到20萬噸以上，其產量占熱固性樹脂第一位。目前正面臨著擴大生產能力、提高產品性能、開發新品種、提高工藝技術水平的新形勢。
懸浮法粒狀酚醛樹脂生產技術是我校在國內首創的先進工藝，己通過化工部鑒定，專家評價："達到國際先進水平"，並獲得化工部科技進步獎。百噸級和千噸級裝量生產技術開發成功後己正常運行。
產品用途廣泛，適用於酚醛模塑料，質量符合國家標准GBl403-86規定的PF2A2。13l、PF2A4。161指標，其絕緣性能更優於國標。用於製造砂輪具有強度高、性能穩定等優點，可以替代進口樹脂製造金剛石砂輪。用於製造剎車片不僅符合國家標准GB5763。86要求，還具有用量省、易加工、不起泡、成品率高等優點。
懸浮法生產酚醛樹脂是將苯酚、甲醛、分散劑和水加入反應釜，加熱到反應溫度，反應到一定時間後出料，經洗滌、乾燥就得到產品。與傳統方法相比具有工藝簡單、節能、污染小等優點，反應容易控制，容易實現大型化和自動化生產，產品質量穩定，樹脂粒度在80目-200目之間可調，無須粉碎，並且流動性好易貯存。生產用原料全部是國產，價廉易得。

『肆』 pcb光刻膠和半導體光刻膠的區別

光刻膠是一種有機化合物，它受紫外光曝光後，在顯影液中的溶解度會發生變化。一般光刻膠以液態塗覆在矽片表面上，曝光後烘烤成固態。 1、光刻膠的作用： a、將掩膜板上的圖形轉移到矽片表面的氧化層中； b、在後續工序中，保護下面的材料（刻蝕或離子注入）。2、光刻膠的物理特性參數： a、解析度（resolution）。區別矽片表面相鄰圖形特徵的能力。一般用關鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量解析度。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的解析度越好。 b、對比度（Contrast）。指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度。對比度越好，形成圖形的側壁越陡峭，解析度越好。 c、敏感度（Sensitivity）。光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長光的最小能量值（或最小曝光量）。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對於波長更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要。 d、粘滯性/黏度（Viscosity）。衡量光刻膠流動特性的參數。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加；高的粘滯性會產生厚的光刻膠；越小的粘滯性，就有越均勻的光刻膠厚度。光刻膠的比重（SG，Specific Gravity）是衡量光刻膠的密度的指標。它與光刻膠中的固體含量有關。較大的比重意味著光刻膠中含有更多的固體，粘滯性更高、流動性更差。粘度的單位：泊（poise），光刻膠一般用厘泊（cps，厘泊為1%泊）來度量。百分泊即厘泊為絕對粘滯率；運動粘滯率定義為：運動粘滯率=絕對粘滯率/比重。單位：百分斯托克斯（cs）＝cps/SG。 e、粘附性（Adherence）。表徵光刻膠粘著於襯底的強度。光刻膠的粘附性不足會導致矽片表面的圖形變形。光刻膠的粘附性必須經受住後續工藝（刻蝕、離子注入等）。 f、抗蝕性（Anti-etching）。光刻膠必須保持它的粘附性，在後續的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。 g、表面張力（Surface Tension）。液體中將表面分子拉向液體主體內的分子間吸引力。光刻膠應該具有比較小的表面張力，使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。 h、存儲和傳送（Storage and Transmission）。能量（光和熱）可以激活光刻膠。應該存儲在密閉、低溫、不透光的盒中。同時必須規定光刻膠的閑置期限和存貯溫度環境。一旦超過存儲時間或較高的溫度范圍，負膠會發生交聯，正膠會發生感光延遲。3、光刻膠的分類 a、根據光刻膠按照如何響應紫外光的特性可以分為兩類：負性光刻膠和正性光刻膠。 負性光刻膠（Negative Photo Resist）。最早使用，一直到20世紀70年代。曝光區域發生交聯，難溶於顯影液。特性：良好的粘附能力、良好的阻擋作用、感光速度快；顯影時發生變形和膨脹。所以只能用於2μm的解析度。 正性光刻膠（Positive Photo Resist）。20世紀70年代，有負性轉用正性。正性光刻膠的曝光區域更加容易溶解於顯影液。特性：解析度高、台階覆蓋好、對比度好；粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本。 b、根據光刻膠能形成圖形的最小光刻尺寸來分：傳統光刻膠和化學放大光刻膠。 傳統光刻膠。適用於I線（365nm）、H線（405nm）和G線（436nm），關鍵尺寸在0.35μm及其以上。 化學放大光刻膠（CAR，Chemical Amplified Resist）。適用於深紫外線（DUV）波長的光刻膠。KrF（248nm）和ArF（193nm）。4、光刻膠的具體性質 a、傳統光刻膠：正膠和負膠。光刻膠的組成：樹脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機械與化學性質（如粘附性、膠膜厚度、熱穩定性等）；感光劑，感光劑對光能發生光化學反應；溶劑（Solvent），保持光刻膠的液體狀態，使之具有良好的流動性；添加劑（Additive），用以改變光刻膠的某些特性，如改善光刻膠發生反射而添加染色劑等。 負性光刻膠。樹脂是聚異戊二烯，一種天然的橡膠；溶劑是二甲苯；感光劑是一種經過曝光後釋放出氮氣的光敏劑，產生的自由基在橡膠分子間形成交聯。從而變得不溶於顯影液。負性光刻膠在曝光區由溶劑引起泡漲；曝光時光刻膠容易與氮氣反應而抑制交聯。 正性光刻膠。樹脂是一種叫做線性酚醛樹脂的酚醛甲醛，提供光刻膠的粘附性、化學抗蝕性，當沒有溶解抑制劑存在時，線性酚醛樹脂會溶解在顯影液中；感光劑是光敏化合物（PAC，Photo Active Compound），最常見的是重氮萘醌（DNQ），在曝光前，DNQ是一種強烈的溶解抑制劑，降低樹脂的溶解速度。在紫外曝光後，DNQ在光刻膠中化學分解，成為溶解度增強劑，大幅提高顯影液中的溶解度因子至100或者更高。這種曝光反應會在DNQ中產生羧酸，它在顯影液中溶解度很高。正性光刻膠具有很好的對比度，所以生成的圖形具有良好的解析度。 b、化學放大光刻膠（CAR，Chemical Amplified Resist）。樹脂是具有化學基團保護（t-BOC）的聚乙烯（PHS）。有保護團的樹脂不溶於水；感光劑是光酸產生劑（PAG，Photo Acid Generator），光刻膠曝光後，在曝光區的PAG發生光化學反應會產生一種酸。該酸在曝光後熱烘（PEB，Post Exposure Baking）時，作為化學催化劑將樹脂上的保護基團移走，從而使曝光區域的光刻膠由原來不溶於水轉變為高度溶於以水為主要成分的顯影液。化學放大光刻膠曝光速度非常

『伍』 光刻膠的作用

光刻開始於一種稱作光刻膠的感光性液體的應用。圖形能被映射到光刻膠上，然後用一個developer就能做出需要的模板圖案。光刻膠又稱光致抗蝕劑，是以智能管感光材料，在光的照射與溶解度發生變化。
光刻膠成份
光刻膠通常有三種成分：感光化合物、基體材料和溶劑。在感光化合物中有時還包括增感劑。根據光刻膠按照如何響應紫外光的特性可以分為兩類：負性光刻膠和正性光刻膠。
1、負性光刻膠
主要有聚肉桂酸系（聚酯膠）和環化橡膠系兩大類，前者以柯達公司的KPR為代表，後者以OMR系列為代表。
2、正性光刻膠
主要以重氮醌為感光化合物，以酚醛樹脂為基體材料。最常用的有AZ-1350系列。正膠的主要優點是解析度高，缺點是靈敏度、耐刻蝕性和附著性等較差。
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光刻膠的特點
1、在光的照射下溶解速率發生變化，利用曝光區與非曝光區的溶解速率差來實現圖形的轉移；
2、溶解抑制/溶解促進共同作用；
3、作用的機理因光刻膠膠類型不同而不同；
光刻膠的主要技術參數
1、解析度：區別矽片表面相鄰圖形特性的能力，一般用關鍵尺寸來衡量解析度。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的解析度越好。
2、對比度：指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度。對比度越好，形成圖形的側壁越陡峭，解析度越好。
3、敏感度：光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長的最小能量值（或最小曝光量）。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對於波長更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要。
4、粘滯性/黏度：衡量光刻膠流動特性的參數。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加；高的粘滯性會產生厚的光刻膠；越小的粘滯性，就有越均勻的光刻膠厚度。
5、粘附性：表徵光刻膠粘著於襯底的強度。光刻膠的粘附性不足會導致矽片表面的圖形變形。
6、抗蝕性：光刻膠必須保持它的粘附性，在後續的刻蝕工序中保護襯底表面。
7、表面張力：液體中將表面分子拉向液體主體內的分子間吸引力。光刻膠應該具有比較小的表面張力，使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。
8、存儲和傳送：能量可以激活光刻膠。應該存儲在密閉、低溫、不透光的盒中。同時必須規定光刻膠的閑置期限和存貯溫度環境。
光刻膠的主要作用
1、將掩膜板上的圖形轉移到矽片表面的氧化層；
2、在後續工序中，保護下面的材料（刻蝕或離子注入）。

『陸』 生產光刻膠 的，目前有股票的上市公司。

國內有一家科華，只能生產G-LINE的膠，但是離上市還遠，光刻膠I-LINE,KRF,ARF的主要都是外國生產的。主要有TOK,DOW,SUMITOMO，FUJI等

『柒』 光刻膠板塊龍頭股票有哪些

首先我們要了解什麼是光刻膠？

光刻膠是一種感光材料，矽片製造中，光刻膠以液態塗在矽片表面，而後乾燥成膠膜。光刻機就是利用特殊光線將集成電路映射到矽片表面，而光刻膠的作用就是避免在矽片表面留下痕跡，在半導體材料中技術難度最大。光刻工藝成本占整個晶元製造工藝的35%，耗費時間占整個晶元工藝的40-50%。

然後，我國的光刻膠正面臨著怎樣的機會和危機？

危機: 光刻膠可細分為三類：半導體光刻膠、LCD光刻膠、PCB光刻膠，其中半導體光刻膠的技術要求最高，但我國目前主要較低端的PCB光刻膠，全球光刻膠的高端核心技術被美國和日本壟斷，其中日本占據了全球70%以上的市場份額。未來幾年光刻膠市場的年均增長率大約是15%，材料的國產化率有望從5%快速提升至40%。

機會: 新冠疫情使得國內進出口貿易大受影響，日本「封城」導致國內光刻膠供需矛盾增加，國產替代刻不容緩。預計2022年半導體光刻膠市場約55億，為2019年的兩倍；面板光刻膠市場將達105億。

最後，我們來看看光刻膠概念的部分龍頭企業:

1、南大光電（國內領先廠家）

2、容大感光（油墨龍頭企業）

3、晶瑞股份（微電子化學品龍頭）

4、飛凱材料（液晶材料封裝材料龍頭）

5、上海新陽（半導體消耗品龍頭）

『捌』 電子酚醛樹脂生產出的光刻膠與環氧樹脂做出來的光刻膠有啥區別

酚醛樹脂（又稱電木，電木粉）是一種無色或黃褐色的透明物，耐弱酸和弱鹼，遇強酸發生分解，遇強鹼發生腐蝕，不溶於水，溶於丙酮、酒精等有機溶劑中。 酚醛樹脂是由苯酚醛或其衍生物縮聚而得。