dram存储器的上市公司

A. 什么是DRAM产业

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。

dram就是存储芯片的产业。也就是生产台式、手提、平板电脑和手机等上的内存的相关产业。

B. 国内企业是不是为三星dram存储器代工

DRAM,是动态随机存取存储器最为常见的系统内存。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 （关机就会丢失数据）

C. DRAM存储器的中文和含义

DRAM存储器的中文是动态随机存取存储器。

含义：为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。

写操作时，写选择线为"1"，所以Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。

读操作时，先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电，当读选择线为高电平有效时,Q3处于可导通的状态。若原来存有"1",则Q2导通，读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电,此时读得的信息为"0"，正好和原存信息相反。

若原存信息为"0",则Q3尽管具备导通条件，但因为Q2截止，所以，CD上的电压保持不变，因而，读得的信息为"1"。可见，对这样的存储电路，读得的信息和原来存入的信息正好相反,所以要通过读出放大器进行反相再送往 数据总线。

(3)dram存储器的上市公司扩展阅读：

在半导体科技极为发达的中国台湾，内存和显存被统称为记忆体（Memory），全名是动态随机存取记忆体（Dynamic Random Access Memory，DRAM）。

基本原理就是利用电容内存储电荷的多寡来代表0和1，这就是一个二进制位元（bit），内存的最小单位。

DRAM的结构可谓是简单高效，每一个bit只需要一个晶体管另加一个电容。但是电容不可避免的存在漏电现象，如果电荷不足会导致数据出错，因此电容必须被周期性的刷新（预充电），这也是DRAM的一大特点。

而且电容的充放电需要一个过程，刷新频率不可能无限提升（频障），这就导致DRAM的频率很容易达到上限，即便有先进工艺的支持也收效甚微。随着科技的进步，以及人们对超频的一种意愿，这些频障也在慢慢解决。

D. FLASH存储器DDR存储器RAM存储器SRAM存储器DRAM存储器有什么区别各有什么作用

Flash存储器：

它属于内存器件的一种，是一种非易失性( Non-Volatile )内存。闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异:目前各类 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存;闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。

DDR存储器：

DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

RAM存储器：

存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储单元的工作原理，随机存储器又分为静态随机存储器(英文:Static RAM，SRAM)和动态随机存储器(英文Dynamic RAM，DRAM)。

SRAM存储器：

是Static Random Access Memory的缩写，静态存储器，和动态存储器DRAM相对。由于SRAM工作原理是依靠晶体管组合来锁住电平，并不需要进行刷新，只要不断电，数据就不会丢失，因此称为静态RAM。

DRAM存储器：

DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)

E. FLASH存储器DDR存储器RAM存储器SRAM存储器DRAM存储器有啥区别各有什么作用用在那

Flash存储器又称为闪存，是一种非易失性的ROM存储器，在EEPROM的基础上发展而来，但不同于EEPROM只能全盘擦写，闪存可以对某个特定的区块进行擦写，这源于它和内存一样拥有独立地址线。闪存的读写速度快，但远不及RAM存储器；但它断电后不会像内存一样丢失数据，因此适合做外存储设备。用途：U盘、固态硬盘、BIOS芯片等。

DDR是一种技术，中文为双倍速率，并不属于一种存储器。DDR通常指DDR SDRAM存储器，全称为Double Date Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，双倍速率同步动态随机存储器。顾名思义，它有三个重要特性：Double Date Rate、Synchronous和Dynamic。首先是Dynamic（动态），表明存储元为电容，通过电容的电荷性判断数据0和1。而由于电容有漏电流，必须随时对电容进行充电，以防数据丢失，这个过程就叫动态刷新；其次是Synchronous（同步），表明读写过程由时钟信号控制，只能发生在时钟信号的上沿或下沿，是同步进行的，而不可以在随意时刻进行；最后是Double Date Rate（DDR），这是DDR内存最重要的特性，即相比SDRAM内存，DDR内存在时钟的上沿和下沿均可以完成一次数据发射，因此一个周期内可以传输两次数据，所以称为双倍速率。因此等效频率是SDRAM的两倍。用途：内存条和显存颗粒，如DDR、DDR2、DDR3、GDDR5。

RAM是Random Access Memory的缩写，中文为随机存储器。这个定义非常广，凡是可以进行随机读写的存储器，都可以称为RAM，和ROM（只读存储器）相对。用途：内存、显存、单片机、高速缓存等等

SRAM是Static Random Access Memory的缩写，静态存储器，和动态存储器DRAM相对。由于SRAM工作原理是依靠晶体管组合来锁住电平，并不需要进行刷新，只要不断电，数据就不会丢失，因此称为静态RAM。相比动态RAM，优点：1.不需要刷新操作，省去刷新电路，布线简单；2.速度远高于DRAM。缺点：1.容量远小于DRAM；2.由于晶体管规模远大于DRAM，成本远高于DRAM。用途：寄存器、高速缓存、早期内存

DRAM是Dynamic Random Access Memory的缩写，动态存储器。和上面的定义一样，由电容存储数据，需要实时刷新，因此叫动态RAM。和SDRAM的区别在于DRAM可以不需要时钟信号控制发射，但通常我们不严格区分它们，把SDRAM和DRAM都叫做DRAM。DDR SDRAM也属于一种DRAM。用途：内存、显存

F. 请教：DRAM存储器供不应求加剧，四季度合约价持续上涨，国内有哪些上市公司受益

神牛事件驱动的最新资讯：在北美数据中心的需求持续强劲，以及DRAM供给端产能与制程受限制下，并不能满足整体服务器内存市场需求。进入第四季，Server DRAM第四季合约价将持续上涨6%至10%，可望带动厂商营收与利润率表现再创新高。太极实业（600667）是世界第二大DRAM制造商SK海力士的合作伙伴，为SK海力士的DRAM产品提供后工序服务。紫光国芯（002049）是领先的DRAM存储器供应商，DRAM存储器芯片已形成较完整的系列，其特种DRAM产品填补了国内空白。

G. DRAM、SRAM、ROM、CMOS RAM这些存储芯片中，哪个速度最快

SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积，在主板上哪些是SRAM呢？ 一种是置于CPU与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（Cache Memory ）；另一种是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。还有为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在Pentium CPU就有所谓的L1 Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1 Cache是内建在CPU的内部，L2 Cache是设计在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部，故Pentium Pro的体积较大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快，不需要刷新的*作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。现将它的特点归纳如下： ◎优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。 ◎缺点，集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。 ◎SRAM使用的系统： ○CPU与主存之间的高速缓存。 ○CPU内部的L1／L2或外部的L2高速缓存。 ○CPU外部扩充用的COAST高速缓存。 ○CMOS 146818芯片（RT＆CMOS SRAM）。

H. DRAM内存概念股有哪些

DRAM内存概念股有：紫光国芯（002049）、长电科技（600584）、深科技（000021）、华天科技（002185）。

I. 作芯片的上市公司就这个价，中国芯片还能强吗

科技真相 科技红利及方向型资产研究

中国半导体集成电路芯片产业百人高峰论坛，在上海圆满举行，会议邀请了国家集成电路产业投资基金(大基金)、安芯基金以及中国半导体集成电路芯片产业龙头公司的领导、专家们以及科技产业分析师郑震湘，共同探讨中国半导体集成电路芯片产业所面临的现状、机遇及挑战。

我们能够更加清晰看到中国半导体集成电路芯片产业崛起的必然性以及在当中我们所面临任务的艰巨性，中国半导体集成电路芯片产业进入了发展的重大转型期和变革期，在国家、中国半导体集成电路芯片产业人及诸多社会力量的大力支持下，我们必将迎来半导体集成电路芯片产业的突破及发展，不忘初心，砥砺前行，实现国之重器“中国芯”的中国梦！

中芯国际联合首席执行官赵海军博士发表主题演讲，《中国半导体制造产业的现状与前景》。

一、中国半导体制造业现状