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光刻胶酚醛树脂上市公司

发布时间:2021-07-29 13:17:33

『壹』 光刻胶正胶与酒精反应吗

经过光反应后部分可以溶解,可以通过飞秒检测鉴定其结构和变化,正性光刻胶也称为正胶。正性光刻胶树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛,提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性,当没有溶解抑制剂存在时,线性酚醛树脂会溶解
在显影液中;感光剂是光敏化合,最常见的是重氮萘醌(DNQ)。在曝光前,DNQ是一种强烈的溶解抑制剂,降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后,DNQ在光刻胶中化学

分解,成为溶解度增强剂,大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。这种曝光反应会在DNQ中产生羧酸,它在显影液中溶解度很高。正性光刻胶具有很
好的对比度,所以生成的图形具有良好的分辨率。

『贰』 光刻的工序

一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。
硅片清洗烘干
1、硅片清洗烘干(Cleaning and Pre-Baking)
方法:湿法清洗+去离子水冲洗+脱水烘焙(热板150~250C,1~2分钟,氮气保护)
目的:a、除去表面的污染物(颗粒、有机物、工艺残余、可动离子);b、除去水蒸气,使基底表面由亲水性变为憎水性,增强表面的黏附性(对光刻胶或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷)。
涂底
2、涂底(Priming)
方法:a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积,200~250C,30秒钟;优点:涂底均匀、避免颗粒污染;b、旋转涂底。缺点:颗粒污染、涂底不均匀、HMDS用量大。
目的:使表面具有疏水性,增强基底表面与光刻胶的黏附性。
旋转涂胶
3、旋转涂胶(Spin-on PR Coating)
方法:a、静态涂胶(Static)。硅片静止时,滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂(原光刻胶的溶剂约占65~85%,旋涂后约占10~20%);b、动态(Dynamic)。低速旋转(500rpm_rotation per minute)、滴胶、加速旋转(3000rpm)、甩胶、挥发溶剂。
决定光刻胶涂胶厚度的关键参数:光刻胶的黏度(Viscosity),黏度越低,光刻胶的厚度越薄;旋转速度,速度越快,厚度越薄;
影响光刻胶均匀性的参数:旋转加速度,加速越快越均匀;与旋转加速的时间点有关。
一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关(因为不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率):I-line最厚,约0.7~3μm;KrF的厚度约0.4~0.9μm;ArF的厚度约0.2~0.5μm。
软烘
4、软烘(Soft Baking)
方法:真空热板,85~120C,30~60秒;
目的:除去溶剂(4~7%);增强黏附性;释放光刻胶膜内的应力;防止光刻胶玷污设备;
边缘光刻胶的去除
5、边缘光刻胶的去除(EBR,Edge Bead Removal)。
光刻胶涂覆后,在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀,不能得到很好的图形,而且容易发生剥离(Peeling)而影响其它部分的图形。所以需要去除。
方法:a、化学的方法(Chemical EBR)。软烘后,用PGMEA或EGMEA去边溶剂,喷出少量在正反面边缘处,并小心控制不要到达光刻胶有效区域;b、光学方法(Optical EBR)。即硅片边缘曝光(WEE,Wafer Edge Exposure)。在完成图形的曝光后,用激光曝光硅片边缘,然后在显影或特殊溶剂中溶解;
对准
6、对准(Alignment)
对准方法:a、预对准,通过硅片上的notch或者flat进行激光自动对准;b、通过对准标志(Align Mark),位于切割槽(Scribe Line)上。另外层间对准,即套刻精度(Overlay),保证图形与硅片上已经存在的图形之间的对准。
曝光
7、曝光(Exposure)
曝光中最重要的两个参数是:曝光能量(Energy)和焦距(Focus)。如果能量和焦距调整不好,就不能得到要求的分辨率和大小的图形。表现为图形的关键尺寸超出要求的范围。
曝光方法:
a、接触式曝光(Contact Printing)。掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当,设备简单。缺点:光刻胶污染掩膜板;掩膜板的磨损,寿命很低(只能使用5~25次);1970前使用,分辨率〉0.5μm。
b、接近式曝光(Proximity Printing)。掩膜板与光刻胶层的略微分开,大约为10~50μm。可以避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤。但是同时引入了衍射效应,降低了分辨率。1970后适用,但是其最大分辨率仅为2~4μm。
c、投影式曝光(Projection Printing)。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点:提高了分辨率;掩膜板的制作更加容易;掩膜板上的缺陷影响减小。
投影式曝光分类:
扫描投影曝光(Scanning Project Printing)。70年代末~80年代初,〉1μm工艺;掩膜板1:1,全尺寸;
步进重复投影曝光(Stepping-repeating Project Printing或称作Stepper)。80年代末~90年代,0.35μm(I line)~0.25μm(DUV)。掩膜板缩小比例(4:1),曝光区域(Exposure Field)22×22mm(一次曝光所能覆盖的区域)。增加了棱镜系统的制作难度。
扫描步进投影曝光(Scanning-Stepping Project Printing)。90年代末~至今,用于≤0.18μm工艺。采用6英寸的掩膜板按照4:1的比例曝光,曝光区域(Exposure Field)26×33mm。优点:增大了每次曝光的视场;提供硅片表面不平整的补偿;提高整个硅片的尺寸均匀性。但是,同时因为需要反向运动,增加了机械系统的精度要求。
在曝光过程中,需要对不同的参数和可能缺陷进行跟踪和控制,会用到检测控制芯片/控片(Monitor Chip)。根据不同的检测控制对象,可以分为以下几种:a、颗粒控片(Particle MC):用于芯片上微小颗粒的监控,使用前其颗粒数应小于10颗;b、卡盘颗粒控片(Chuck Particle MC):测试光刻机上的卡盘平坦度的专用芯片,其平坦度要求非常高;c、焦距控片(Focus MC):作为光刻机监控焦距监控;d、关键尺寸控片(Critical Dimension MC):用于光刻区关键尺寸稳定性的监控;e、光刻胶厚度控片(PhotoResist Thickness MC):光刻胶厚度测量;f、光刻缺陷控片(PDM,Photo Defect Monitor):光刻胶缺陷监控。
举例:0.18μm的CMOS扫描步进光刻工艺。
光源:KrF氟化氪DUV光源(248nm);
数值孔径NA:0.6~0.7;
焦深DOF:0.7μm;
分辨率Resolution:0.18~0.25μm(一般采用了偏轴照明OAI_Off-Axis Illumination和相移掩膜板技术PSM_Phase Shift Mask增强);
套刻精度Overlay:65nm;
产能Throughput:30~60wafers/hour(200mm);
视场尺寸Field Size:25×32mm;
后烘
8、后烘(PEB,Post Exposure Baking)
方法:热板,110~130C,1分钟。
目的:a、减少驻波效应;b、激发化学增强光刻胶的PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。
显影
9、显影(Development)
方法:a、整盒硅片浸没式显影(Batch Development)。缺点:显影液消耗很大;显影的均匀性差;b、连续喷雾显影(Continuous Spray Development)/自动旋转显影(Auto-rotation Development)。一个或多个喷嘴喷洒显影液在硅片表面,同时硅片低速旋转(100~500rpm)。喷嘴喷雾模式和硅片旋转速度是实现硅片间溶解率和均匀性的可重复性的关键调节参数。c、水坑(旋覆浸没)式显影(Puddle Development)。喷覆足够(不能太多,最小化背面湿度)的显影液到硅片表面,并形成水坑形状(显影液的流动保持较低,以减少边缘显影速率的变化)。硅片固定或慢慢旋转。一般采用多次旋覆显影液:第一次涂覆、保持10~30秒、去除;第二次涂覆、保持、去除。然后用去离子水冲洗(去除硅片两面的所有化学品)并旋转甩干。优点:显影液用量少;硅片显影均匀;最小化了温度梯度。
显影液:a、正性光刻胶的显影液。正胶的显影液位碱性水溶液。KOH和NaOH因为会带来可动离子污染(MIC,Movable Ion Contamination),所以在IC制造中一般不用。最普通的正胶显影液是四甲基氢氧化铵(TMAH)(标准当量浓度为0.26,温度15~25C)。在I线光刻胶曝光中会生成羧酸,TMAH显影液中的碱与酸中和使曝光的光刻胶溶解于显影液,而未曝光的光刻胶没有影响;在化学放大光刻胶(CAR,Chemical Amplified Resist)中包含的酚醛树脂以PHS形式存在。CAR中的PAG产生的酸会去除PHS中的保护基团(t-BOC),从而使PHS快速溶解于TMAH显影液中。整个显影过程中,TMAH没有同PHS发生反应。b、负性光刻胶的显影液。二甲苯。清洗液为乙酸丁脂或乙醇、三氯乙烯。
显影中的常见问题:a、显影不完全(Incomplete Development)。表面还残留有光刻胶。显影液不足造成;b、显影不够(Under Development)。显影的侧壁不垂直,由显影时间不足造成;c、过度显影(Over Development)。靠近表面的光刻胶被显影液过度溶解,形成台阶。显影时间太长。
硬烘
10、硬烘(Hard Baking)
方法:热板,100~130C(略高于玻璃化温度Tg),1~2分钟。
目的:a、完全蒸发掉光刻胶里面的溶剂(以免在污染后续的离子注入环境,例如DNQ酚醛树脂光刻胶中的氮会引起光刻胶局部爆裂);b、坚膜,以提高光刻胶在离子注入或刻蚀中保护下表面的能力;c、进一步增强光刻胶与硅片表面之间的黏附性;d、进一步减少驻波效应(Standing Wave Effect)。
常见问题:a、烘烤不足(Underbake)。减弱光刻胶的强度(抗刻蚀能力和离子注入中的阻挡能力);降低针孔填充能力(Gapfill Capability for the needle hole);降低与基底的黏附能力。b、烘烤过度(Overbake)。引起光刻胶的流动,使图形精度降低,分辨率变差。
另外还可以用深紫外线(DUV,Deep Ultra-Violet)坚膜。使正性光刻胶树脂发生交联形成一层薄的表面硬壳,增加光刻胶的热稳定性。在后面的等离子刻蚀和离子注入(125~200C)工艺中减少因光刻胶高温流动而引起分辨率的降低。

『叁』 酚醛树脂的生产工艺是什么

涂胶组合物用的酚醛树脂,制备方法与含有该酚醛树脂的组合物(法国-20页)

酚醛树脂组合物(日本-24页)

火箭发动机用的弹性体化酚醛树脂烧蚀性隔热物(美国-30页)

酚醛树脂涂布的耐火聚集料(美国-9页)

基于可熔酚醛树脂的含铝和硼的粘合剂体系(德国-14页)

可熔性酚醛树脂组合物及其固化方法(日本-9页)

酚醛树脂、环氧树脂及其制造方法(日本-18页)

光学性能改进的可溶可熔型酚醛树脂(美国-40页)

制备酚醛树脂的方法(日本-13页)

制备可熔酚醛树脂的方法(德国-9页)

使用干性油改性酚醛树脂组合物的酚醛树脂层压板(日本-14页)

酚醛树脂发泡体叠合板(日本-25页)

层合酚醛树脂泡沫板及其制造方法(美国-21页)

具有改进光学性能的可溶可熔酚醛树脂(美国-39页)

用作不受水影响的环氧树脂硬化剂的促进剂的酚醛树脂(德国-8页)

酚醛树脂泡沫材料(美国-14页)

用于酸固化酚醛树脂组合物的反应性稀释剂(美国-58页)

酚醛树脂硬化物的再生利用方法(日本-21页)

用经植物油改性的酚醛树脂制备的层压板(日本-13页)

用于热塑性硫化橡胶的酚醛树脂固化剂的优选结构(美国-25页)

具有改善的耐冲击性的酚醛树脂组合物(美国-41页)

线型酚醛树脂及其制造方法(日本-21页)

含水酚醛树脂分散体(美国-14页)

借助低温液面下强制水蒸汽蒸馏法分离可溶可熔酚醛树脂(美国-13页)

具有与反射层中铝化学结合的酚醛树脂的后向反射制品(美国-17页)

用阴离子交换树脂降低线型酚醛树脂溶液中的金属离子含量(美国-14页)

酚醛树脂模塑料(日本-13页)

层压板用干性油改性酚醛树脂组合物及使用该干性油改性酚醛树脂组合物的酚醛树脂层压板 (日本-15页)

用于酚醛树脂的发泡剂(英国-13页)

生产酚醛树脂制的滑轮的方法(日本-24页)

改性酚醛树脂的制备方法及其应用(德国-7页)

酚醛树脂组合物(日本-35页)

改进了的酚醛树脂(澳大利亚-25页)

制备酚醛树脂的方法(荷兰-9页)

经植物油改性的酚醛树脂的制备方法及其在层压过程中的用途(日本-14页)

含有稳定化酚醛树脂的水基胶粘剂组合物(美国-25页)

酚醛树脂粘合促进剂以及粘合剂组合物(美国-24页)

制备用于高分辨率光刻胶组合物的高玻璃化温度线型酚醛树脂的方法(美国-15页)

制备平版印刷用的感光支化线型酚醛树脂的方法(美国-12页)

第二套:中国最新酚醛树脂及其制品生产工艺技术专利大全(中文)题录

酚醛树脂发泡板材(7页)

酚醛树脂的固化促进剂微胶囊丸(5页)

铁基酚醛树脂同步器锥环(6页)

酚醛树脂/粘土纳米复合材料的生产方法(9页)

一种酚醛树脂基球形活性炭的制备方法(6页)

不含或含低量游离氨的酚醛树脂成型材料制造方法(15页)

一种高强度酚醛树脂及其制作工艺与应用(7页)

铸造覆膜砂粘土/酚醛树脂纳米复合物、生产方法及用途(9页)

一种水溶性酚醛树脂/纳米粘土复合物及其制备方法(8页)

一种呼吸辅助装置用酚醛树脂中空纤维膜的制备方法(7页)

酚醛树脂污水处理方法(6页)

一种Novolak酚醛树脂及其制备方法(9页)

一种热塑性酚醛树脂/粘土纳米复合材料及其制备方法(9页)

一种纳米粘土填充的热固性酚醛树脂及其制备方法(11页)

感光型磷酯化酚醛树脂、其组合物及其制法(16页)

酚醛树脂低温发泡机(6页)

松香改性混合烷基酚醛树脂的制备(11页)

采用酚醛树脂作胶粘剂冷压制备摩擦材料的方法(17页)

一种改性酚醛树脂及其生产方法(7页)

酚醛树脂复合板的连续制法(10页)

用于低温发泡的酚醛树脂的生产方法和所制成的树脂(12页)

油墨树脂油和松香改性酚醛树脂废水的处理方法(4页)

酚醛树脂覆膜砂用溃散剂组合物及配制方法(7页)

一种水溶性磺甲基酚醛树脂的制备方法(4页)

改性酚醛树脂与羧酸金属盐接枝共聚物(6页)

马来酰亚胺酚醛树脂椡┯途酆衔铩⒑铣煞椒�捌溆τ茫?/FONT>8页)

水溶性酚醛树脂胶粘剂(4页)

一种制造热固性酚醛树脂的方法(8页)

纸质酚醛树脂线路板及其制造方法(8页)

甲基苯乙烯改性酚醛树脂及其制造方法(5页)

一种以釜底油制取改性酚醛树脂的方法(7页)

开环聚合酚醛树脂与纤维增强复合材料(11页)

用淀粉制取酚醛树脂及其模塑料(6页)

一种改性酚醛树脂高温耐磨材料(4页)

木材酚醛树脂层积材料及其制造方法(16页)

酚醛树脂泡沫塑料的制备方法(13页)

含玻璃鳞片的硼改性酚醛树脂复合材料及其制备方法(10页)

酚醛树脂复合材料的制备方法(5页)

倍半萜烯酚醛树脂的制造方法(4页)

浅色改性松香酚醛树脂的制造方法(5页)

用松脂制造松香改性酚醛树脂的方法(5页)

桐油改性线型酚醛树脂的制造及应用(9页)

摩擦制动片用桐油改性酚醛树脂的制造方法(9页)

酚醛树脂及酚醛树脂硬质泡沫塑料(7页)

活性酚醛树脂为交联剂的中国黑荆单宁胶(14页)

一种粘接用酚醛树脂胶及其生产方法(4页)

一种聚酯改性酚醛树脂及其制备方法(4页)

萜烯酚醛树脂的制造方法(5页)

酚醛树脂合成过程中负压碱吸收直接脱酚法(6页)

改性酚醛树脂及其生产方法(6页)

一种酚醛树脂粘结剂及其制造方法(8页)

丁苯乳胶改性酚醛树脂制造工艺(6页)

一种酚醛树脂的合成方法(7页)
酚醛树脂是最早实现工业化生产的树脂,它具有价格低廉、原料易得、工艺简单、性能优异等优点。我国的酚醛树脂生产能力约15万吨,到2000年将增加到20万吨以上,其产量占热固性树脂第一位。目前正面临着扩大生产能力、提高产品性能、开发新品种、提高工艺技术水平的新形势。
悬浮法粒状酚醛树脂生产技术是我校在国内首创的先进工艺,己通过化工部鉴定,专家评价:"达到国际先进水平",并获得化工部科技进步奖。百吨级和千吨级装量生产技术开发成功后己正常运行。
产品用途广泛,适用于酚醛模塑料,质量符合国家标准GBl403-86规定的PF2A2。13l、PF2A4。161指标,其绝缘性能更优于国标。用于制造砂轮具有强度高、性能稳定等优点,可以替代进口树脂制造金刚石砂轮。用于制造刹车片不仅符合国家标准GB5763。86要求,还具有用量省、易加工、不起泡、成品率高等优点。
悬浮法生产酚醛树脂是将苯酚、甲醛、分散剂和水加入反应釜,加热到反应温度,反应到一定时间后出料,经洗涤、干燥就得到产品。与传统方法相比具有工艺简单、节能、污染小等优点,反应容易控制,容易实现大型化和自动化生产,产品质量稳定,树脂粒度在80目-200目之间可调,无须粉碎,并且流动性好易贮存。生产用原料全部是国产,价廉易得。

『肆』 pcb光刻胶和半导体光刻胶的区别

光刻胶是一种有机化合物,它受紫外光曝光后,在显影液中的溶解度会发生变化。一般光刻胶以液态涂覆在硅片表面上,曝光后烘烤成固态。 1、光刻胶的作用: a、将掩膜板上的图形转移到硅片表面的氧化层中; b、在后续工序中,保护下面的材料(刻蚀或离子注入)。2、光刻胶的物理特性参数: a、分辨率(resolution)。区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸(CD,Critical Dimension)来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。 b、对比度(Contrast)。指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好,形成图形的侧壁越陡峭,分辨率越好。 c、敏感度(Sensitivity)。光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值(或最小曝光量)。单位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光(DUV)、极深紫外光(EUV)等尤为重要。 d、粘滞性/黏度(Viscosity)。衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加;高的粘滞性会产生厚的光刻胶;越小的粘滞性,就有越均匀的光刻胶厚度。光刻胶的比重(SG,Specific Gravity)是衡量光刻胶的密度的指标。它与光刻胶中的固体含量有关。较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体,粘滞性更高、流动性更差。粘度的单位:泊(poise),光刻胶一般用厘泊(cps,厘泊为1%泊)来度量。百分泊即厘泊为绝对粘滞率;运动粘滞率定义为:运动粘滞率=绝对粘滞率/比重。单位:百分斯托克斯(cs)=cps/SG。 e、粘附性(Adherence)。表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺(刻蚀、离子注入等)。 f、抗蚀性(Anti-etching)。光刻胶必须保持它的粘附性,在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。 g、表面张力(Surface Tension)。液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力,使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。 h、存储和传送(Storage and Transmission)。能量(光和热)可以激活光刻胶。应该存储在密闭、低温、不透光的盒中。同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。一旦超过存储时间或较高的温度范围,负胶会发生交联,正胶会发生感光延迟。3、光刻胶的分类 a、根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类:负性光刻胶和正性光刻胶。 负性光刻胶(Negative Photo Resist)。最早使用,一直到20世纪70年代。曝光区域发生交联,难溶于显影液。特性:良好的粘附能力、良好的阻挡作用、感光速度快;显影时发生变形和膨胀。所以只能用于2μm的分辨率。 正性光刻胶(Positive Photo Resist)。20世纪70年代,有负性转用正性。正性光刻胶的曝光区域更加容易溶解于显影液。特性:分辨率高、台阶覆盖好、对比度好;粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。 b、根据光刻胶能形成图形的最小光刻尺寸来分:传统光刻胶和化学放大光刻胶。 传统光刻胶。适用于I线(365nm)、H线(405nm)和G线(436nm),关键尺寸在0.35μm及其以上。 化学放大光刻胶(CAR,Chemical Amplified Resist)。适用于深紫外线(DUV)波长的光刻胶。KrF(248nm)和ArF(193nm)。4、光刻胶的具体性质 a、传统光刻胶:正胶和负胶。光刻胶的组成:树脂(resin/polymer),光刻胶中不同材料的粘合剂,给与光刻胶的机械与化学性质(如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等);感光剂,感光剂对光能发生光化学反应;溶剂(Solvent),保持光刻胶的液体状态,使之具有良好的流动性;添加剂(Additive),用以改变光刻胶的某些特性,如改善光刻胶发生反射而添加染色剂等。 负性光刻胶。树脂是聚异戊二烯,一种天然的橡胶;溶剂是二甲苯;感光剂是一种经过曝光后释放出氮气的光敏剂,产生的自由基在橡胶分子间形成交联。从而变得不溶于显影液。负性光刻胶在曝光区由溶剂引起泡涨;曝光时光刻胶容易与氮气反应而抑制交联。 正性光刻胶。树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛,提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性,当没有溶解抑制剂存在时,线性酚醛树脂会溶解在显影液中;感光剂是光敏化合物(PAC,Photo Active Compound),最常见的是重氮萘醌(DNQ),在曝光前,DNQ是一种强烈的溶解抑制剂,降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后,DNQ在光刻胶中化学分解,成为溶解度增强剂,大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。这种曝光反应会在DNQ中产生羧酸,它在显影液中溶解度很高。正性光刻胶具有很好的对比度,所以生成的图形具有良好的分辨率。 b、化学放大光刻胶(CAR,Chemical Amplified Resist)。树脂是具有化学基团保护(t-BOC)的聚乙烯(PHS)。有保护团的树脂不溶于水;感光剂是光酸产生剂(PAG,Photo Acid Generator),光刻胶曝光后,在曝光区的PAG发生光化学反应会产生一种酸。该酸在曝光后热烘(PEB,Post Exposure Baking)时,作为化学催化剂将树脂上的保护基团移走,从而使曝光区域的光刻胶由原来不溶于水转变为高度溶于以水为主要成分的显影液。化学放大光刻胶曝光速度非常

『伍』 光刻胶的作用

光刻开始于一种称作光刻胶的感光性液体的应用。图形能被映射到光刻胶上,然后用一个developer就能做出需要的模板图案。光刻胶又称光致抗蚀剂,是以智能管感光材料,在光的照射与溶解度发生变化。
光刻胶成份
光刻胶通常有三种成分:感光化合物、基体材料和溶剂。在感光化合物中有时还包括增感剂。根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类:负性光刻胶和正性光刻胶。
1、负性光刻胶
主要有聚肉桂酸系(聚酯胶)和环化橡胶系两大类,前者以柯达公司的KPR为代表,后者以OMR系列为代表。
2、正性光刻胶
主要以重氮醌为感光化合物,以酚醛树脂为基体材料。最常用的有AZ-1350系列。正胶的主要优点是分辨率高,缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。
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光刻胶的特点
1、在光的照射下溶解速率发生变化,利用曝光区与非曝光区的溶解速率差来实现图形的转移;
2、溶解抑制/溶解促进共同作用;
3、作用的机理因光刻胶胶类型不同而不同;
光刻胶的主要技术参数
1、分辨率:区别硅片表面相邻图形特性的能力,一般用关键尺寸来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。
2、对比度:指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好,形成图形的侧壁越陡峭,分辨率越好。
3、敏感度:光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长的最小能量值(或最小曝光量)。单位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光(DUV)、极深紫外光(EUV)等尤为重要。
4、粘滞性/黏度:衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加;高的粘滞性会产生厚的光刻胶;越小的粘滞性,就有越均匀的光刻胶厚度。
5、粘附性:表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。
6、抗蚀性:光刻胶必须保持它的粘附性,在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。
7、表面张力:液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力,使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。
8、存储和传送:能量可以激活光刻胶。应该存储在密闭、低温、不透光的盒中。同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。
光刻胶的主要作用
1、将掩膜板上的图形转移到硅片表面的氧化层;
2、在后续工序中,保护下面的材料(刻蚀或离子注入)。

『陆』 生产光刻胶 的,目前有股票的上市公司

国内有一家科华,只能生产G-LINE的胶,但是离上市还远,光刻胶I-LINE,KRF,ARF的主要都是外国生产的。主要有TOK,DOW,SUMITOMO,FUJI等

『柒』 光刻胶板块龙头股票有哪些

首先我们要了解什么是光刻胶?

光刻胶是一种感光材料,硅片制造中,光刻胶以液态涂在硅片表面,而后干燥成胶膜。光刻机就是利用特殊光线将集成电路映射到硅片表面,而光刻胶的作用就是避免在硅片表面留下痕迹,在半导体材料中技术难度最大。光刻工艺成本占整个芯片制造工艺的35%,耗费时间占整个芯片工艺的40-50%。

然后,我国的光刻胶正面临着怎样的机会和危机?

危机: 光刻胶可细分为三类:半导体光刻胶、LCD光刻胶、PCB光刻胶,其中半导体光刻胶的技术要求最高,但我国目前主要较低端的PCB光刻胶,全球光刻胶的高端核心技术被美国和日本垄断,其中日本占据了全球70%以上的市场份额。未来几年光刻胶市场的年均增长率大约是15%,材料的国产化率有望从5%快速提升至40%。

机会: 新冠疫情使得国内进出口贸易大受影响,日本“封城”导致国内光刻胶供需矛盾增加,国产替代刻不容缓。预计2022年半导体光刻胶市场约55亿,为2019年的两倍;面板光刻胶市场将达105亿。

最后,我们来看看光刻胶概念的部分龙头企业:

1、南大光电(国内领先厂家)

2、容大感光(油墨龙头企业)

3、晶瑞股份(微电子化学品龙头)

4、飞凯材料(液晶材料封装材料龙头)

5、上海新阳(半导体消耗品龙头)

『捌』 电子酚醛树脂生产出的光刻胶与环氧树脂做出来的光刻胶有啥区别

酚醛树脂(又称电木,电木粉)是一种无色或黄褐色的透明物,耐弱酸和弱碱,遇强酸发生分解,遇强碱发生腐蚀,不溶于水,溶于丙酮、酒精等有机溶剂中。 酚醛树脂是由苯酚醛或其衍生物缩聚而得。

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